![模拟电子系统设计指南(基础篇):从半导体、分立元件到TI集成电路的分析与实现](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/808/47378808/b_47378808.jpg)
上QQ阅读APP看本书,新人免费读10天
设备和账号都新为新人
2.6 温度依赖性
在上一节介绍了电流密度J是反向饱和电流密度 Js的直接函数,与少数载流子的浓度 npo和pno有关,反过来也与成比例,而n i是温度的函数。因此,可以得到:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/40_5.jpg?sign=1739398299-R63pWVIMftPV5Uxwc1JV6U5bCIflPfpx-0-d82f0552917d60a153e72d1ef5a61c0a)
式中,Eg为电子能级,大小为1.12eV。JS1和JS2与温度T1和T2的关系:
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/40_6.jpg?sign=1739398299-FrvmuF2gMLhdSpayrXJgojwHLb7I5gg6-0-f538ad36faeb681ffc7a8ea3348679eb)
因此,反向饱和电流密度Js对温度敏感,且随温度的增加而迅速增加,如图2.13 (a) 所示。正向电流J是JS和 (EVF/kT) 的函数,也是温度 T 的函数。随着温度的升高,对于同样大小的正向电流时,压降减少,如图2.13 (b) 所示。对于恒定的正向电压,正向工作电流随温度升高而增加。
![](https://epubservercos.yuewen.com/A93590/26763633309316706/epubprivate/OEBPS/Images/40_7.jpg?sign=1739398299-MT1IQHn8r9gi70uSqAmwiJBNWc5UCdor-0-1db986bff5f4ad38e89a8b24cc547d62)
图2.13 PN结的温度效应